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BF 999 E6327 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
BF 999 E6327的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 A

Vds-漏源极击穿电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

高度:1 mm

长度:2.9 mm

系列:BF999

类型:RF Small Signal MOSFET

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

Pd-功率耗散:200 mW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:6.5 V

零件号别名:BF999E6327HTSA1 BF999E6327XT SP000010985

单位重量:8 mg

供应商BF 999 E6327
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